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- メーカー
- SAMSUNG (サムスン)
■容量:1000 GB
■規格サイズ:M.2 (Type2280)
■インターフェイス:PCI-Express Gen4
■タイプ:V-NAND TLC
■設置タイプ:内蔵
■NVMe:○
■厚さ:2.3 mm
■1GBあたりの価格:\24
■読込速度:7450 MB/s
■書込速度:6900 MB/s
■ランダム読込速度:ランダム(QD1 Thread1)読み出し：22,000 IOPSランダム(QD32 Thread16)読み出し：1,200,000 IOPS
■ランダム書込速度:ランダム(QD1 Thread1)書き込み：80,000 IOPSランダム(QD32 Thread16)書き込み：1,550,000 IOPS
■MTBF(平均故障間隔):150万時間
■TBW:600 TBW
■DWPD:0.32
■規格サイズ:M.2 (Type2280)
■インターフェイス:PCI-Express Gen4
■タイプ:V-NAND TLC
■設置タイプ:内蔵
■NVMe:○
■厚さ:2.3 mm
■1GBあたりの価格:\24
■読込速度:7450 MB/s
■書込速度:6900 MB/s
■ランダム読込速度:ランダム(QD1 Thread1)読み出し：22,000 IOPSランダム(QD32 Thread16)読み出し：1,200,000 IOPS
■ランダム書込速度:ランダム(QD1 Thread1)書き込み：80,000 IOPSランダム(QD32 Thread16)書き込み：1,550,000 IOPS
■MTBF(平均故障間隔):150万時間
■TBW:600 TBW
■DWPD:0.32
